• Новости
  • Темы
    • Экономика
    • Здоровье
    • Авто
    • Наука и техника
    • Недвижимость
    • Туризм
    • Спорт
    • Кино
    • Музыка
    • Стиль
  • Спецпроекты
  • Телевидение
  • Знания
    • Энциклопедия
    • Библия
    • Коран
    • История
    • Книги
    • Наука
    • Детям
    • КМ школа
    • Школьный клуб
    • Рефераты
    • Праздники
    • Гороскопы
    • Рецепты
  • Сервисы
    • Погода
    • Курсы валют
    • ТВ-программа
    • Перевод единиц
    • Таблица Менделеева
    • Разница во времени
Ограничение по возрасту 12
KM.RU
Рефераты
Главная → Рефераты → Наука и техника
  • Новости
  • В России
  • В мире
  • Экономика
  • Наука и техника
  • Недвижимость
  • Авто
  • Туризм
  • Здоровье
  • Спорт
  • Музыка
  • Кино
  • Стиль
  • Телевидение
  • Спецпроекты
  • Книги
  • Telegram-канал

Поиск по рефератам и авторским статьям

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры

УПИ – УГТУ

Кафедра радиоприёмные устройства.

Контрольная работа № 1

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.

Вариант № 17

Шифр:

Ф.И.О

Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3

                                                                    

 Краткая словесная характеристика диода.

   Диод кремниевый эпитаксиально- планарный.

   Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами зелёного цвета со стороны вывода катода.

   Масса диода не более 0,15 г.

Паспортные параметры.

Электрические параметры:

Постоянное прямое напряжение при не Iпр= 200 мА  более:

   при 298 и 398 К ……………………………………………………………..     1,1 В

   при 213 К ……………………………………………………………………     1,5 В

Постоянный обратный ток при Uпр= 50 В,  не более:                                                                                                 

   при 298 и 213 К …………………………………………………………….         5 мкА

   при 398 К ……………………………………………………………………     150 мкА

Заряд переключения при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В, не более ……………….      400 пКл

Общая ёмкость диода при Uобр= 0 В,   не более …………………………………          4 пФ

Время обратного восстановления при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В,

Iотсч= 2 мА не более ………………………………………………………………          4 нс

Предельные эксплуатационные данные:

Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой формы и

периодичности) ………………………………………………………………………       50 В

Импульсное обратное напряжение при длительности импульса (на уровне 50 В)

не более 2 мкс и скважности не менее 10 …………………………………………        70 В

Постоянный или средний прямой ток:

   при температуре от 213 до 323 К …………………………………………      200 мА

   при 393 К …………………………………………………………………..      100 мА

Импульсной прямой ток при τи ≤ 10 мкс (без превышения среднего прямого тока):

   при температуре от 213 до 323 К …………………………………………    1500 мА

   при 393 К …………………………………………………………………..      500 мА

Температура перехода ………………………………………………………………      423 К

Температура окружающей среды ………………………………………………….От 213 до

                                                                                                                                             393 К

Семейство вольтамперных характеристик:

Iпр,мА
Выноска 3: 393К200
160
Выноска 3: 298К

120
Выноска 3: 213К80
40
0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 Uпр,В   

Расчёты и графики зависимостей:

1) сопротивление постоянному току R= и переменному току (малый сигнал) r~ от прямого и обратного напряжения для комнатной температуры 298 К.

Зависимость тока от прямого напряжения:

Iпр,мА
200 I8
180
160
140
120
100
80
60
40
20 I1
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 U1 0,8 0,9 1,0 1,1 U8 Uпр,В   

   I1 =   10 мА,   U1 = 0,63 В,   R1 =   U1  /    I1 = 0,63 /   10 мА  =    63 Ом

   I2 =   20 мА,   U2 = 0,73 В,   R2 =   U2  /    I2 = 0,73 /   20 мА  = 36,5 Ом

   I3 =   40 мА,   U3 = 0,81 В,   R3 =   U3  /    I3 = 0,81 /   40 мА  = 20,3 Ом

   I4 =   60 мА,   U4 = 0,86 В,   R4 =   U4  /    I4 = 0,86 /   60 мА  = 14,3 Ом

   I5 =   80 мА,   U5 = 0,90 В,   R5 =   U5  /    I5 = 0,90 /   80 мА  = 11,3 Ом

   I6 = 120 мА,   U6 = 0,97 В,   R6 =   U6  /    I6 = 0,97 / 120 мА  = 8,03 Ом

   I7 = 160 мА,   U7 = 1,03 В,   R7 =   U7  /    I7 = 1,03 / 160 мА  =   6,4 Ом

   I8 = 200 мА,   U8 = 1,10 В,   R8 =   U8  /    I8 = 1,10 / 200 мА  =   5,5 Ом

ΔI1 =   10 мА, ΔU1 = 0,10 В,   r1   = ΔU1 / ΔI1 = 0,10 /   10 мА  =     10 Ом

ΔI2 =   20 мА, ΔU2 = 0,08 В,   r2   = ΔU2 / ΔI2 = 0,08 /   20 мА  =       4 Ом

ΔI3 =   20 мА, ΔU3 = 0,05 В,   r3   = ΔU3 / ΔI3 = 0,05 /   20 мА  =    2,5 Ом

ΔI4 =   20 мА, ΔU4 = 0,04 В,   r4   = ΔU4 / ΔI4 = 0,04 /   20 мА  =       2 Ом

ΔI5 =   40 мА, ΔU5 = 0,07 В,   r5   = ΔU5 / ΔI5 = 0,07 /   40 мА  =    1,7 Ом

ΔI6 =   40 мА, ΔU6 = 0,06 В,   r6   = ΔU6 / ΔI6 = 0,06 /   40 мА  =    1,5 Ом

ΔI7 =   40 мА, ΔU7 = 0,07 В,   r7   = ΔU7 / ΔI7 = 0,07 /   40 мА  =    1,7 Ом

Зависимость сопротивления постоянному току R= от прямого напряжения Uпр:

R=,Ом
70 R1
60
50
40
30
20
10 R8
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 U1 0,8 0,9 1,0 1,1 U8 Uпр,В   

Зависимость сопротивления переменному току r~ от прямого напряжения Uпр:

r~,Ом
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 U1 0,8 0,9 1,0 1,1 U7 Uпр,В   

Зависимость тока Iобр от обратного напряжения Uобр:

Iобр,мкА
5,0 I7
4,5
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5 I1
0 5 10 15 20 25 30 35 40 U1 45 50 U7 Uоб,В   

   I1 = 0,25 мкА,   U1 = 37 В,   R1 =   U1  /    I1  = 37 /   0,25 мкА  =  148 МОм

   I2 = 0,50 мкА,   U2 = 40 В,   R2 =   U2  /    I2  = 40 /   0,50 мкА  =    80 МОм

   I3 = 1,00 мкА,   U3 = 42 В,   R3 =   U3  /    I3  = 42 /   1,00 мкА  =    42 МОм

   I4 = 2,00 мкА,   U4 = 44 В,   R4 =   U4  /    I4  = 44 /   2,00 мкА  =    22 МОм

   I5 = 3,00 мкА,   U5 = 46 В,   R5 =   U5  /    I5  = 46 /   3,00 мкА  = 15,3 МОм

   I6 = 4,00 мкА,   U6 = 48 В,   R6 =   U6  /    I6  = 48 /   4,00 мкА  =    12 МОм

   I7 = 5,00 мкА,   U7 = 50 В,   R7 =   U7  /    I7  = 50 /   5,00 мкА  =    10 МОм

ΔI1 = 0,25 мкА, ΔU1 =   3 В,   r1   = ΔU1 / ΔI1  =   3 /   0,25 мкА  =    12 МОм

ΔI2 = 0,50 мкА, ΔU2 =   2 В,   r2   = ΔU2 / ΔI2  =   2 /    0,50 мкА  =      4 МОм

ΔI3 = 1,00 мкА, ΔU3 =   2 В,   r3   = ΔU3 / ΔI3  =   2 /   1,00 мкА  =       2 МОм

ΔI4 = 1,00 мкА, ΔU4 =   2 В,   r4   = ΔU4 / ΔI4  =   2 /   1,00 мкА  =       2 МОм

ΔI5 = 1,00 мкА, ΔU5 =   2 В,   r5   = ΔU5 / ΔI5  =   2 /   1,00 мкА  =       2 МОм

ΔI6 = 1,00 мкА, ΔU6 =   2 В,   r6   = ΔU6 / ΔI6  =   2 /   1,00 мкА  =       2 МОм

Зависимость сопротивления постоянному току R= от обратного напряжения Uобр:

R=, МОм
160
140
120
100
80
60
40
20
0 5 10 15 20 25 30 35 40 U1 45 50 U7 Uоб,В   

Зависимость сопротивления переменному току r~ от обратного напряжения Uобр:

r~, МОм
12
10
8
6
4
2
0 5 10 15 20 25 30 35 40 U1 45 50 U7 Uоб,В   

  

2) График зависимости ёмкость Собр от обратного напряжения:

Сд, пФ
4
3
2
1
0 20 40 60 80 UобрВ

Определение величин температурных коэффициентов.

   Определим графически из семейства вольтамперных характеристик величины температурных коэффициентов ТКUпр и  ТКIобр.

Iпр,мА
200
Выноска 3: 298К160
120
Выноска 3: 213К80
40
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 U1 1,4 1,6 U2 Uпр,В   

I = 200 мА, U1= 1,5 B, U2= 1,1 B, T1= 298 K, T2= 213 K



Iобр,мкА
150 I2
Выноска 3: 398К125
100
Выноска 3: 298К75
50
25 I1
0 10 20 30 40 50 U 60 UобрВ

U = 50 B, I1= 5 мкА, I2= 150 мкА, Т1= 298 К, Т2= 398 К


Определение сопротивления базы.

   Величина сопротивления базы rб оценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах (Т=298К):

 

Iпр,мА
500 I2
400
Выноска 3: U1300
Выноска 3: U2200 I1
100
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0   1,2 Uпр,В   

Тепловой потенциал:



По вольтамперной характеристике определяем:

U1 = 1,1 В, U2 = 1,2 В,

I1 = 200 мА, I2 = 500 мА



Малосигнальная высокочастотная схема диода

и величины её элементов.

   Малосигнальная высокочастотная схема диода при обратном смещении:



Величины элементов схемы при Uобр = 5 В :



Библиографический список.

1) “Электронные приборы: учебник для вузов”  Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..

2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.

3) Справочник “ Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы”; М.: Энергоатомиздат, 1987г..

4) “ Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов” методические указания к лабораторной работе по курсу “ Электронные приборы”; Свердловск, 1989г..

Дата добавления: 27.09.2001

База рефератов на портале KM.RU существует с 1999 года. Она пополнялась не только готовыми рефератами, докладами, курсовыми, но и авторскими публикациями, чтобы учащиеся могли использовать их и цитировать при самостоятельном написании работ.


Это популяризирует авторские исследования и научные изыскания, что и является целью работы истинного ученого или публициста. Таким образом, наша база - электронная библиотека, созданная в помощь студентам и школьникам.


Уважаемые авторы! Если Вы все же возражаете против размещения Вашей публикации или хотите внести коррективы, напишите нам на почту info@corp.km.ru, мы незамедлительно выполним Вашу просьбу или требование.


официальный сайт © ООО «КМ онлайн», 1999-2025 О проекте ·Все проекты ·Выходные данные ·Контакты ·Реклама
]]>
]]>
Сетевое издание KM.RU. Свидетельство о регистрации Эл № ФС 77 – 41842.
Мнения авторов опубликованных материалов могут не совпадать с позицией редакции.

Мультипортал KM.RU: актуальные новости, авторские материалы, блоги и комментарии, фото- и видеорепортажи, почта, энциклопедии, погода, доллар, евро, рефераты, телепрограмма, развлечения.

Карта сайта


Подписывайтесь на наш Telegram-канал и будьте в курсе последних событий.


Организации, запрещенные на территории Российской Федерации
Telegram Logo

Используя наш cайт, Вы даете согласие на обработку файлов cookie. Если Вы не хотите, чтобы Ваши данные обрабатывались, необходимо установить специальные настройки в браузере или покинуть сайт.