Samsung начала производство чипов мобильной памяти DDR3 объемом 4 Гб

Компания Samsung начала массовое производство 4-гигабайтовых чипов памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу, сообщается в пресс-релизе, поступившем в KM.RU.

Для выпуска новой DRAM-памяти используются технологии двойного шаблона и атомно-слоевого осаждения, что позволяет выпускать чипы памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу, применяя существующую иммерсионную ArF-литографию, а также делает возможным в будущем производство следующего поколения DRAM по техпроцессу класса 10 нм.

Как отмечается в пресс-релизе, компании удалось добиться беспрецедентной однородности нанесения сверхтонких диэлектрических пленок конденсаторов, что позволило улучшить эффективность памяти.

Показатели энергоэффективности новых чипов на 25% опережают характеристики мобильной памяти, выполненной по 25-нм техпроцессу.