Samsung готовит к выпуску экологичные модули памяти

Компания Samsung Electronics заявила о разработке 8 Гб RDIMM модуля памяти на базе экологичной технологии Green DDR3 DRAM. Новый модуль памяти уже успешно прошел тестирование. По сравнению с предыдущими разработками, он отличается значительно большей производительностью, в основном за счет использования трехмерной технологии формирования многоуровневой структуры чипа TSV (Through-silicon via).

«Компания Samsung способна удовлетворить запросы современного рынка оперативной памяти с учетом постоянного совершенствования технологии формирования структуры чипа, что ведет за собой рост производительности и более эффективную работу памяти, — отметил Чан Хён Ким (Chang-Hyun Kim), старший вице-президент подразделения Memory Product Planning & Application Engineering в компании Samsung Electronics. — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory. Новые продукты, использующие технологию 3D TSV, укрепят лидерство Samsung и его партнеров на рынке устройств хранения данных».

8-Гб RDIMM модуль памяти, использующий технологию 3D TSV, экономит до 40% энергии по сравнению с обычной памятью RDIMM. Технология TSV позволит увеличить плотность записи более чем на 50% и сократить количество разъемов для модулей памяти в серверных системах следующего поколения, а также поможет снизить энергопотребление серверов, при этом увеличив емкость памяти и производительность.

Технология TSV подразумевает использование в кремниевой плате вертикальных микронных отверстий с медной заливкой. При использовании такого вида соединения вместо традиционного значительно увеличивается скорость передачи информации. Многочисленные пользовательские тесты доказали готовность технологии TSV от Samsung к использованию с различными серверными приложениями, которые требуют высокой производительности и больших энергозатрат.

Широкое распространение трехмерной TSV-технологии начнется предположительно в 2012 году. Samsung планирует применить преимущества технологии TSV в узлах, выполненных по технологии 30-нм и других, более современных, процессах.