Создана первая в мире 45-нм флэш-память типа NOR

Создана первая в мире 45-нм флэш-память типа NOR

По сообщению компании Numonyx B.V., она первой в мире начала поставки ознакомительных образцов флэш-памяти типа multi-level cell (MLC) NOR, произведенных с соблюдением норм 45 нм, сообщает ixbt.

Новая память существенно превосходит продукты предшествующего поколения (65 нм) по быстродействию и плотности. Основными областями применения памяти Numonyx NOR являются сотовые телефоны и другие мобильные устройства.

Плотность однокристальной микросхемы составляет 1 Гбит. В разработке используется архитектура Numonyx StrataFlash, что обеспечило полную совместимость с микросхемами памяти NOR, серийно выпускаемыми Numonyx по нормам 65 нм. Таким образом, компания помогла разработчикам и производителям оборудования до минимума свести затраты, связанные с переводом готовых проектов на новую память и упростить создание устройств с увеличенным объемом памяти. По оценке компании, превосходство новой памяти над памятью предыдущего поколения по скорости записи достигает 50%.

Пока новые микросхемы доступны в ограниченных количествах. В течение года Numonyx представит еще несколько похожих продуктов разной плотности. Их массовый выпуск начнется в 2010 году.