Samsung Electronics разработал модули памяти нового поколения

Samsung Electronics разработал модули памяти нового поколенияSamsung Electronics представила модули памяти для серверов на основе технологии DDR2. В каждый модуль памяти вставлен AMB –чип для пользования как низко, так и высокоскоростным интерфейсом. Буфер работает со скоростью от 3,2 Гб/сек до 4,8 Гб/сек (что в 2 раза больше скорости предыдущего DDr2-400). Новый FB DIMM увеличивает общую производительную системы. Он предотвращает ошибки, случающиеся в сервере, когда число модулей памяти превосходит 2 на канал. Samsung представляет 512Mб и 1Гб FB DIMM-образцы, совместимые с существующими JEDEC-стандартами