Samsung вкладывает средства в развитие флэш- и DRAM-памяти
Samsung Electronics заявила о намерении инвестировать $617,5 млн. в развитие производственных линий по изготовлению микросхем флэш- и DRAM-памяти. Кстати, компания на данный момент является одним из ведущих мировых производителей этих чипов.
Часть средств будет израсходована на организацию производства 4-Гб микросхем флэш-памяти, вместо выпускаемых в настоящее время 2-Гб. Остальные вложения пойдут на перевод линий по выпуску чипов DRAM с 90 на 80-нанометровую технологию.
Комментарии читателей Оставить комментарий