Российские ученые нашли способ повысить на порядок быстродействие компьютеров

Ученые из лаборатории нанооптики и плазмоники центра наноразмерной оптоэлектроники МФТИ разработали новый метод передачи данных, который позволит уменьшить размеры оптических и оптоэлектронных элементов и увеличить быстродействие компьютеров в десятки раз: они нашли способ избавиться от потерь энергии при использовании поверхностных плазмонов в оптических устройствах, — говорится в статье, опубликованной в журнале Optics Express.«Поверхностные плазмон-поляритоны уже предлагались на роль носителей информации при передаче данных, однако проблема состояла в том, что сигнал крайне быстро затухал при распространении по волноводам. Нам удалось решить эту проблему, что открывает дорогу к созданию нового поколения быстродействующих оптоэлектронных чипов», — говорит руководитель исследования Дмитрий Федянин.
Современная электроника основана на использовании электронов в качестве носителей информации, однако они перестают отвечать современным требованиям: классические медные провода и дорожки на чипах уже не могут передавать информацию с достаточной для современных процессоров скоростью. Это уже сегодня ограничивает рост производительности микропроцессоров, и для поддержания закона Мура требуется внедрение принципиально новых технологий.
Переход от электрических импульсов к оптическим может решить эту проблему. Высокая частота оптического диапазона (это сотни терагерц) позволяет передавать и обрабатывать больше данных, а значит, повысить быстродействие. Оптоволоконные технологии широко используются в коммуникационных сетях, но использование света в процессорах и логических элементах наталкивается на проблему дифракционного предела: размеры волноводов и других оптических элементов не могут быть значительно меньше длины волны. Для ближнего инфракрасного излучения, которое используется для передачи данных, это микроны, что никак не соответствует требованиям к современной электронике. Логические элементы «обычных» современных процессоров имеют размеры в десятки нанометров. Оптическая электроника может стать конкурентоспособной, если удастся «сжать» свет до этого масштаба.
Обойти дифракционный предел становится возможным, если перейти от фотонов к поверхностным плазмон-поляритонам — коллективным возбуждениям, представляющим собой взаимодействие между фотонами и колебаниями электронов в металле на границе между металлом и диэлектриком. Их также называют квазичастицами, потому что по своим свойствам они в значительной степени похожи на обычные частицы, такие как фотоны или электроны. В отличие от объемных световых волн, поверхностные поляритоны «держатся» за границу раздела двух сред, являясь поверхностными электромагнитными волнами. Это позволяет перейти от привычной трехмерной оптики к двумерной.
«Грубо говоря, фотон в пространстве занимает определенный объем, порядка длины волны света. Мы можем “сжать” его, преобразовав в поверхностный плазмон-поляритон.
Соответственно, используя такой подход, удается повысить степень интеграции и снизить размеры оптических элементов. Но у этого замечательного решения, к сожалению, есть обратная сторона. Для того, чтобы существовал поверхностный плазмон-поляритон, нужен металл, точнее электронный газ в нем. А это влечет за собой запредельно высокие Джоулевы потери, подобные тем, что мы имеем, пропуская постоянный ток по металлическим проводам, но только на оптических частотах», — говорит Федянин.
По его словам, из-за поглощения в металле энергия плазмонов на расстоянии около миллиметра падает в миллиарды раз, что фактически лишает смысла попытки использовать их на практике.
«Наша идея состоит в том, чтобы скомпенсировать потери, закачивая дополнительную энергию в поверхностные плазмон-поляритоны. Если мы хотим интегрировать плазмонные волноводы в чипы, то можно использовать только электрическую накачку», — поясняет ученый.
Он и его коллеги Дмитрий Свинцов и Алексей Арсенин из лаборатории нанооптики и плазмоники разработали новый метод электрической накачки плазмонных волноводов на основе МДП-структур (металл-диэлектрик-полупроводник) и провели его моделирование. Расчеты показывают, что пропускание относительно слабых токов накачки через наноразмерные плазмонные волноводы позволяет полностью компенсировать потери поверхностных плазмонов, а значит, становится возможным передавать сигнал без потерь на большие (по меркам чипа) расстояния. При этом степень интеграции таких активных плазмонных волноводов на порядок выше, чем фотонных.
Изображение наноразмерных плазмонных волноводов в растровом электронном микроскопе. Фото с сайт strf.ru
«В оптоэлектронике всегда приходится находить компромисс между оптическим и электрическими свойствами, что зачастую невозможно в плазмонике, где выбор металлов ограничен тремя-четырьмя материалами. Основным достоинством предложенной схемы накачки является ее независимость от свойств контакта металл-полупроводник. Подбирая под каждый полупроводник диэлектрик, можно добиться такой же эффективности, как в случае гетероструктурных лазеров, при этом сохранив характерные размеры плазмонной структуры на уровне 100 нанометров», — говорит Федянин.
Авторы исследования отмечают, что полученные ими результаты еще ждут экспериментальной проверки, но ключевое препятствие устранено.
Исследование поддержано грантом Российского научного фонда и программой повышения конкурентоспособности МФТИ «5–100».
Автор: Кузнецов Андрей
Комментарии читателей Оставить комментарий
Слава нашим учёным! Но... Быстродействие отдельных элементов - это хорошо, но система в целом полезна, если есть и правильная конфигурация и программа. Так что быстродействие элемента не означает быстродействия системы в целом. Я удивляюсь, как мир прошёл в начале 80-х мимо логичного и простого способа повысить быстродействие систем управления в тысячи раз даже на основе тогдашней элементной базы. Все необходимые теоретические предпосылки были уже тогда. А ведь можно было бы управлять тем же беспилотником, грубо говоря, на трёх транзисторах. Писать, жаль, подробнее нельзя, пиндосы украдут...
ЧИПы делаются методом фотолитографии, вначале засветка фоторезиста велась светом - предел был 40-50 нм, потом перешли на жесткий ультрафиолет - предел 35 нм, потом на ренгеновское излучение - 20 нм. 18 нм чипы возможно изготовить при использовании маски из свинца и засветки фоторезиста протонным излучением. Теоретический предел - три атома. До него еще далеко.
Я где-то читал, что современные традиционные ЧИП(ы) подходят к своему пределу и называлась цифра 20нм. Чтобы уплотняться дальше нужны новые диэлектрические материалы. Но, в характеристиках новых процессоров появляются цифры- 18нм и менее. Как такое может быть?
Речь идет не о фотонном компьютере а о попытке создать нефотонную оптоэлектронику.
Фотонная оптоэлектронника в принципе устарела, т.к. не позволяет создать радиоэлемент размером менее длины волны света... в современных чипах размер элементов намного меньше длины волны света...
"поскольку сигнал в конечном счёте переносится со скоростью электромагнитного взаимодействия - скорости света"
Скорость передачи сигнала зависит от емкости и индуктивности линии связи и всегда меньше скорости света....
"В совокупности ёмкости и индуктивности дают резонансы, что ещё больше усиливает потери"
При резонансе потерь нет. Именно при отсутствии резонанса возникают потери. Чем выше частота - тем выше потери.